英飞凌科技公司的研究表明，用碳纳米管制造的功率晶体管其典型开关电阻只有常规晶体管的二十分之一。这就相应降低功率损耗。研究还发现，碳基晶体管能够承受的电流密度大约是硅基晶体管的 200 倍。

纳米技术领域的几项新进展均被融合到了这种纳米管功率晶体管的生产中。其中，英飞凌公司的研究人员能够在600°C 的“低温”下生长出高质量的单壁碳纳米管，而此前则需要大约 900 °C的温度。

英飞凌公司用钯来制造带有漏极触点、源极触点和栅极触点的整个晶体管。硅被用作衬底，尽管任何传导材料都满足要求。然后，研究人员在高-k二氧化铝栅极介质上生长出碳纳米管。碳纳米管在相对简单的工艺中随机分布，不过平行排列的碳纳米管数量足以用作漏极和源极之间的连线。